硅氧烷

浙江大学ACS Nano:新型倍半硅氧烷光刻胶实现高灵敏度与稳定性!

随着摩尔定律推动晶体管不断微型化,极端紫外(EUV)光刻技术已成为实现亚7纳米节点制造的关键技术,其独特的亚20纳米直接图案化能力备受瞩目。然而,为了匹配先进的EUV技术,开发满足国际器件与系统路线图(IRDS)目标的光刻胶至关重要,这些目标包括8-16纳米分

acs 浙江大学 nano 光刻胶 硅氧烷 2025-10-29 19:09  2